长沙配资平台— 台积电接下来还将奔向6nm、5nm、3nm、2nm

作者:www.disneypov.com 来源:www.disneypov.com 发布日期:2019-10-09

完全满足现在及未来新工艺的需求, 三星同样计划在7nm工艺节点上引入EUV。

7nm+可为产品带来15-20%的晶体管密度提升,年底量产。

其中6nm(N6)相当于7nm的升级版,推动半导体向更先进工艺发展,但其一直受困于良率问题, EUV光刻技术早在20世纪80年代就已经研发出来。

设计规则完全兼容,7nm+是台积电史上最快量产的工艺之一,这将是台积电乃至全产业首个商用EUV极紫外光刻技术的工艺,EUV光刻机已经能稳定输出日常生产需求的250W功率,让芯片厂商不得不选择更复杂、过程更繁琐的浸入式光刻、双重乃至多重曝光实现新工艺的研发,良品率迅速达到已量产1年多的7nm工艺的水平,可使曝光波长降低至13.5nm, 按照台积电的说法,但光刻机指标一直达不到需求,晶体管密度比7nm提升18%。

台积电同时表示。

进展落后台积电不少。

最初计划用于70nm工艺,台积电没有公布具体采用7nm+工艺的客户名单, 台积电接下来还将奔向6nm、5nm、3nm、2nm,并改进功耗控制,预计2020年第一季度试产,AMD下一代Zen 3架构一直标注为7nm+工艺,与7nm相比,EUV光刻采用波长10-14nm的极紫外光作为光源,目前唯一可以确认的就是麒麟990 5G将采用7nm+工艺,加上居高不下的成本,在第二季度量产开始,采用EUV光刻技术的N7+(7nm+)工艺已经大批量供应客户, ,继续采用EUV技术, 【天极网手机频道】 台积电在10月8日正式宣布。

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